HOME > 口頭発表 > 詳細Schottky properties enhanced by using compensated Mg doped InGaN thin films material at interface metal-InGaN著者ロザック ミカエル, 中野由崇, サン リウエン, 迫田 和彰, 角谷 正友. 会議名ISPlasma2012発表年2012言語Japanese
