第一原理計算を用いた抵抗変化メモリ(CB-RAM)の金属拡散機構の解明
(Elucidation of Metal Diffusion Mechanism in Conducting-Bridge Random Access Memory (CB-RAM) Using First-Principle Calculation)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 04:14:33 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:03:56 +0900