GaNトランジスタのオペランド顕微分光観測
(Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy)
The 8th International Symposium on Surface Science. 2017.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-10-17 22:16:58 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:14:06 +0900