HOME > Presentation > Detailアモルファス陽極酸化アルミナReRAMの抵抗変化メカニズム(Resistive switching mechanism of anodic amorphous alumina ReRAM)加藤 誠一, 北澤 英明, 児子 精祐, 原田 善之, 柳町 治, 李 政祐, 木戸 義勇. STAC-3. 2009.NIMS author(s)KATO, SeiichiKITAZAWA, HideakiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:58:57 +0900Updated at: 2017-07-10 20:31:49 +0900