HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Al/Al:Al2O3/Alによる低フォーミング電圧型ReRAM(Low forming voltage ReRAM in Al/Al:Al2O3/Al)原田 善之, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 木戸 義勇. International Symposium on Advanced Nanodevice and Nanotechnolog. 2011.NIMS著者加藤 誠一北澤 英明Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:29:11 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:13:12 +0900