オゾンMBEを用いた高品質β-Ga2O3エピタキシャル膜の形成
(Device-Quality β-Ga2O3 Epitaxial Films Fabricated by Ozone Assisted Molecular Beam Epitaxy)
第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2011年12月08日-2011年12月09日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:02:32 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:16:20 +0900