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著者名肥田聡太, 山崎 隆浩, 森山拓洋, 大野 隆央, 吉武 道子, 岸田悟, 木下健太郎.
タイトル抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討 〜 電気的接触法による導電性パス生成の差異 〜
(Formative Mechanism of Conducting Path in Resistive Random Access Memory ~ Electric contact method dependence of Conducting Path Formation ~ )
会議名応用物理学会秋季学術講演会
発表年2016
言語Japanese
外部での文献参照

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