Ta2O5 capを用いた界面スカベンジング技術によるHigh-k/Si直接接合の形成
(Direct contact formation of High-k layer to Si by Interfacial Layer Scavenging Technique with Ta2O5 Cap)
the 8th International Nanotechnology Conference (INC8). 2012.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 05:38:10 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:34:26 +0900