ゲート可変な半導体2層グラフェンp-i-n接合におけるトンネル効果
(Tunnel effect through gate-controlled p-i-n junction in semiconducting bilayer graphene)
MANA International Symposium 2011. 2011.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 05:49:47 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:58:56 +0900