HOME > Presentation > Detail
Super high-dielectric constant Al2O3/TiO2 nanolaminates deposited by the atomic layer deposition technique (for diamond MOSFETs)
マテリアル先端リサーチインフラ オンラインセミナー 『原子層堆積技術（ALD）による成膜技術』. 2021-12-22.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2022-01-10 03:08:27 +0900 Updated at: 2022-01-10 03:08:27 +0900