HOME > 口頭発表 > 書誌詳細水素処理によるBおよびPドープシリコン中のキャリアの不活性化と再活性化(Passivation and reactivation of carrier in B- and P-doped Si treated with atomic hydrogen)深田 直樹, 福田真也, 佐藤俊太郎, 石岡 邦江, 北島 正弘, 菱田 俊一, 村上浩一. 24th International Conference on Defects in Semiconductors. 2007.NIMS著者深田 直樹石岡 邦江菱田 俊一Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:55:35 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:56:57 +0900