Persistent excited conductivity and the threshold fluence in a-Si:H under 17 MeV proton irradiation
(17MeV陽子線照射したa-Si:Hにおける永続的伝導とその閾値線量)
第18回非結晶および微結晶半導体国際会議 18th Int.Conf.on Amorphou. 1999年08月22日-1999年08月27日.
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作成時刻: 2017-02-18 01:43:26 +0900 更新時刻: 2023-04-09 15:12:18 +0900