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著者名深田 直樹, 佐藤 俊太郎, 石岡 邦江, 北島 正弘, 村上浩一.
タイトル高濃度水素導入後のn型Siおよびp型Siにおける欠陥形成とキャリア回復過程
(Defect Formation and Recovery of Carrier between n-type and p-type Si Introduced with High Concentration of Hydrogen Atoms)
会議名2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会
発表年2005
言語Japanese
外部での文献参照

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