高濃度水素導入後のn型Siおよびp型Siにおける欠陥形成とキャリア回復過程
(Defect Formation and Recovery of Carrier between n-type and p-type Si Introduced with High Concentration of Hydrogen Atoms)
2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会. 2005.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 05:33:54 +0900更新時刻: 2018-05-30 19:28:49 +0900