HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si基板上に直接成長させたGe膜のRBS測定(RBS analysis of the Ge layer directly grown on Si substrate)河野 健一郎, 朴成鳳, 石川靖彦, 和田一美, 岸本 直樹. 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materi. 2008年08月31日-2008年09月05日.NIMS著者河野 健一郎Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:05:02 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:14:40 +0900