HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si基板上に直接成長させたGe膜のRBS測定(RBS analysis of the Ge layer directly grown on Si substrate)河野 健一郎, 朴成鳳, 石川靖彦, 和田一美, 岸本 直樹. 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materi. 2008.NIMS著者河野 健一郎岸本 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:05:02 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:14:40 +0900