HOME > Presentation > Detailヘリウムイオン照射グラフェンにおける磁気抵抗のドーズ量依存性中村 周, 岩崎 拓哉, マノハラン ムルガナタン, 赤堀 誠志, 守田 佳史, 森山 悟士, 小川 真一, 若山 裕, 水田 博, 中払 周. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019.NIMS author(s)IWASAKI, TakuyaWAKAYAMA, YutakaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2020-01-09 03:00:25 +0900Updated at: 2020-01-09 03:00:25 +0900