HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Structural Property of Boron-doped AlN grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy(MOVPE法により成長させたボロンドープAlNの構造評価)IMURA, Masataka, Ota Yuichi, BANAL, Ganipan Ryan, KOIDE, Yasuo. 電子材料シンポジウム35. 2016年07月06日-2016年07月08日.NIMS著者井村 将隆小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-26 21:13:49 +0900更新時刻: 2018-06-05 13:58:27 +0900