HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ALD-ZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の形成技術と そのMFS構造への応用(Fabrication technique of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films using ALD-ZrO2 nucleation layers and its application to MFS structures)女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, 澤田 朋実, 太田 裕之, 森田 行則. 2024年 第71回応用物理学会春季学術講演会. 2024年03月22日-2024年03月25日. 招待講演NIMS著者女屋 崇生田目 俊秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-05-21 03:12:36 +0900 更新時刻: 2024-05-21 03:12:36 +0900