HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ガス加熱トライオードプラズマCVD法によるSi表面パシベーション(Si surface passivation by triode-type plasma-enhanced CVD with thermally-energized film-precursors)新倉 ちさと, 宮島 晋介. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018.NIMS著者新倉 ちさとMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-04-11 22:38:38 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:19:38 +0900