HOME > 口頭発表 > 書誌詳細w-BN, h-BN, w-AlN, h-AlNの様々な格子パラメーター条件での電子状態(Electronic properties of w-BN, h-BN, w-AlN and h-BN under various conditions of lattice parameters)小林 一昭, 谷口 尚, 渡邊 賢司. ICNDST-10. 2005.NIMS著者小林 一昭谷口 尚渡邊 賢司Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:04:44 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:19:25 +0900