HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Depletion-mode r-GeO2 MOSFETs Fabricated by Selective Area Growth via Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition with Ultrasonic TransducersKazuyoshi Norimatsu, OSHIMA, Takayoshi, Yuri Shimizu, Ai Kono, Shinpei Matsuda. 2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2026). 2026年09月14日-2026年09月17日.NIMS著者大島 孝仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-09-17 03:07:14 +0900 更新時刻: 2026-09-17 03:07:14 +0900