HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si・Geへの元素添加によるSi-およびGe/high-k界面修飾の予測(Prediction of the modification of Si- and Ge/high-k interface bonding)吉武 道子, 柳生 進二郎, 知京 豊裕. 第73回応用物理学会学術講演会. 2012.NIMS著者吉武 道子柳生 進二郎知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:00:04 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:26:06 +0900