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Si・Geへの元素添加によるSi-およびGe/high-k界面修飾の予測
(Prediction of the modification of Si- and Ge/high-k interface bonding)

著者吉武 道子, 柳生 進二郎, 知京 豊裕.
会議名第73回応用物理学会学術講演会
発表年2012
言語Japanese

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