HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(Growth and deep level defect evaluation of InGaN films for the application of photovoltaic devices)角谷 正友, サン リウエン, ロザック ミカエル, 中野由崇. International Symposium of Growth of III-Nitrides(ISCN-4). 2012.NIMS著者角谷 正友サン リウエンMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-26 20:37:44 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:33:18 +0900