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MOCVDによるGaN, ZnO薄膜成長における極性構造効果
(Growth of wide band gap nitride and oxide films by metalorganic chemical vapor deposition -Effect of the polarity of wurtzite materials and the application of III-V nitride film -)

著者角谷 正友.
会議名IUMRS-ICEM 2010
発表年2010
言語Japanese

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