MOCVDによるGaN, ZnO薄膜成長における極性構造効果
(Growth of wide band gap nitride and oxide films by metalorganic chemical vapor deposition -Effect of the polarity of wurtzite materials and the application of III-V nitride film -)
IUMRS-ICEM 2010. 2010. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:01:42 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:43:07 +0900