HOME > 口頭発表 > 書誌詳細オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明(Ⅰ)(Elucidating the mechanism of current collapse in GaN-HEMT using the operando microspectroscopy (Ⅰ))大美賀 圭一, 舘野 泰範, 河内 剛志, 駒谷 務, 永村 直佳, 今野 隼, 小嗣 真人, 堀場 弘司, 尾嶋 正治, 末光 眞希, 吹留 博一. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016.NIMS著者永村 直佳Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-01-08 03:55:13 +0900 更新時刻 :2018-05-21 22:04:19 +0900