HOME > Presentation > Detail
オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明(Ⅰ)
(Elucidating the mechanism of current collapse in GaN-HEMT using the operando microspectroscopy (Ⅰ))
第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-01-08 03:55:13 +0900Updated at: 2018-05-21 22:04:19 +0900