HOME > 口頭発表 > 書誌詳細反応性スパッタ法を用いたエピタキシャルAlN膜の成長条件の検討(Growth condition optimization of epitaxial AlN film deposited by reactive sputtering)立島 滉大, 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋厚志, 知京 豊裕. STAC-10. 2017.NIMS著者立島 滉大長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-07-29 22:52:14 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:11:22 +0900