HOME > 口頭発表 > 書誌詳細単電子トンネリングマッピングによるゲルマニウムナノワイヤ中の伝導電子バンドの状態密度(Conduction band density of states in a Ge nanowire dot mapped by single-electron tunneling)黄少雲, 申成權, 深田 直樹, 石橋幸治. 秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011.NIMS著者深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:35:23 +0900 更新時刻 :2017-07-10 21:08:43 +0900