HOME > Presentation > Detail単電子トンネリングマッピングによるゲルマニウムナノワイヤ中の伝導電子バンドの状態密度(Conduction band density of states in a Ge nanowire dot mapped by single-electron tunneling)黄少雲, 申成權, 深田 直樹, 石橋幸治. 秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011.NIMS author(s)FUKATA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:35:23 +0900Updated at: 2017-07-10 21:08:43 +0900