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Vacancy-type defects in InGaN grown by metal organic chemical vapor deposition probed using a monoenergetic positron beam

著者上殿明良, T. Tsutusi, T. Watanabe, S. Kimura, Y. Zhang, ロザック ミカエル, サン リウエン, S. Ishibashi, 角谷 正友.
会議名55th Electronic Materials
発表年2013
言語Japanese

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