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著者名Akira Uedono, T. Tsutusi, T. Watanabe, S. Kimura, Y. Zhang, LOZACH, Mickael, SANG, Liwen, S. Ishibashi, SUMIYA, Masatomo.
タイトルVacancy-type defects in InGaN grown by metal organic chemical vapor deposition probed using a monoenergetic positron beam
会議名55th Electronic Materials
発表年2013
言語English
外部での文献参照

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