(Vacancy-type defects in InGaN grown by metal organic chemical vapor deposition probed using a monoenergetic positron beam)
55th Electronic Materials. 2013年06月26日-2013年06月28日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:09:44 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:49:10 +0900