HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si/GeおよびGe/Siコアシェルナノワイヤ中の選択ドーピングと応力評価 (Characterization of selective doping and stress in Si/Ge and Ge/Si core-shell nanowires)深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 三留 正則, 板東 義雄, Zhong Lin Wang. 28th International Conference on Defects in Semiconductors. 2015.NIMS著者深田 直樹ジェバスワン ウイパコーン三留 正則板東 義雄Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-02-14 11:17:20 +0900 更新時刻 :2017-07-10 22:11:41 +0900