GaNのナノ構造形成のためのサファイア基板のコンビナトリアル処理
(Interface control of sapphire substrate for approaching nano-fabrication of GaN film grown by MOCVD)
| 著者 | 角谷 正友. |
|---|---|
| 会議名 | International Mini-workshop on Nano and Combinatorial Technologi |
| 発表年 | 2006 |
| 言語 | Japanese |