HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaNのナノ構造形成のためのサファイア基板のコンビナトリアル処理(Interface control of sapphire substrate for approaching nano-fabrication of GaN film grown by MOCVD)角谷 正友. International Mini-workshop on Nano and Combinatorial Technologi. 2006. 招待講演NIMS著者角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:53:59 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:41:21 +0900