HOME > 口頭発表 > 書誌詳細レーザーアブレーション法により生成されたSiナノ細線中の欠陥の不活性化とPドーピング(Passivation of Defects and P-doping in Si Nanowires Synthesized by Laser Ablation Method)大島崇, 岡田直也, 深田 直樹, 内田紀行, 村上浩一. 2005年秋季第66回応用物理学会. 2005.NIMS著者深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:47:28 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:21:51 +0900