HOME > Presentation > Detailレーザーアブレーション法により生成されたSiナノ細線中の欠陥の不活性化とPドーピング(Passivation of Defects and P-doping in Si Nanowires Synthesized by Laser Ablation Method)大島崇, 岡田直也, 深田 直樹, 内田紀行, 村上浩一. 2005年秋季第66回応用物理学会. September 07, 2005-September 11, 2005.NIMS author(s)FUKATA, NaokiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 03:47:28 +0900Updated at: 2017-07-10 19:21:51 +0900