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ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算
(First principle molecular dynamics study for graphene growth mechanism on stepped SiC(0001) surface)
日本物理学会第68回年次大会 . 2013.
NIMS author(s)
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Created at: 2017-01-08 04:32:58 +0900Updated at: 2017-07-10 21:32:59 +0900