GaN-HEMTの表面準位の挙動の顕微分光を用いた定量的解明
(Quantative analysis of surface states in GaN-HEMT devices using scanning photoelectron microscopy)
電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2018年01月19日-2018年01月20日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-12-15 22:08:42 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:16:10 +0900