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GaN-HEMTの表面準位の挙動の顕微分光を用いた定量的解明
(Quantative analysis of surface states in GaN-HEMT devices using scanning photoelectron microscopy)
電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. January 19, 2018-January 20, 2018.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-12-15 22:08:42 +0900Updated at: 2018-06-05 14:16:10 +0900