サファイア基板上に成長したGaN薄膜のバッファ層厚とアニール時間変化における光学的・構造的性質
(Impact of buffer layer thickness and annealing time for the optical and structural properties of GaN epilayers grown on sapphire)
European Materials Research Society 2016 Fall Meeting. 2016.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-19 04:27:18 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:29:55 +0900