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サファイア基板上に成長したGaN薄膜のバッファ層厚とアニール時間変化における光学的・構造的性質
(Impact of buffer layer thickness and annealing time for the optical and structural properties of GaN epilayers grown on sapphire)

著者松浦 悠, サン リウエン, 角谷 正友, 山口智広, 本田徹.
会議名European Materials Research Society 2016 Fall Meeting
発表年2016
言語Japanese

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