サファイア基板上に成長したGaN薄膜のバッファ層厚とアニール時間変化における光学的・構造的性質
(Impact of buffer layer thickness and annealing time for the optical and structural properties of GaN epilayers grown on sapphire)
European Materials Research Society 2016 Fall Meeting. 2016年09月19日-2016年09月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-19 04:27:18 +0900 更新時刻: 2017-07-10 22:29:55 +0900