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サファイア基板上に成長したGaN薄膜のバッファ層厚とアニール時間変化における光学的・構造的性質
(Impact of buffer layer thickness and annealing time for the optical and structural properties of GaN epilayers grown on sapphire)

松浦 悠, サン リウエン, 角谷 正友, 山口智広, 本田徹.
European Materials Research Society 2016 Fall Meeting. 2016.

NIMS author(s)


Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)


    Created at :2017-02-19 04:27:18 +0900 Updated at :2017-07-10 22:29:55 +0900

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