n型GaAs(110)表面準位が走査型トンネル分光特性へ与える影響
(Influence of surface states on tunneling spectra of n-type GaAs(110))
18th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy. 2010.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:36:54 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:57:51 +0900