InGaN系窒化物半導体の表面―バルク電子状態評価
(Surface and bulk electronic structures of InGaN)
第110回研究会・特別公開シンポジウム 「紫外発光デバイスの最前線と. 2018年09月27日-2018年09月28日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-08-25 16:18:33 +0900更新時刻: 2018-08-25 16:18:33 +0900