HOME > Presentation > DetailWO3-xデバイスにおける酸化物イオンの移動によるバイポーラ抵抗変化挙動(Oxide ion-migration-controlled bipolar resistance switching behavior in the WO3-x-based devices)ヤン ルイ, 寺部 一弥, 土屋 敬志, 鶴岡 徹, 長谷川 剛, 青野 正和. 第38回固体イオニクス討論会. December 03, 2012-December 05, 2012.NIMS author(s)TERABE, KazuyaTSUCHIYA, TakashiTSURUOKA, TohruAONO, MasakazuFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:59:51 +0900Updated at: 2017-07-10 21:30:43 +0900