HOME > 口頭発表 > 書誌詳細WO3-xデバイスにおける酸化物イオンの移動によるバイポーラ抵抗変化挙動(Oxide ion-migration-controlled bipolar resistance switching behavior in the WO3-x-based devices)ヤン ルイ, 寺部 一弥, 土屋 敬志, 鶴岡 徹, 長谷川 剛, 青野 正和. 第38回固体イオニクス討論会. 2012.NIMS著者寺部 一弥土屋 敬志鶴岡 徹青野 正和Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:59:51 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:30:43 +0900