HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MBE成膜条件がGaN薄膜の結晶構造とMgドーピングに及ぼす影響(The effect of growth conditions on structure and Mg-doping of GaN films grown by molecular beam epitaxy.)安達 裕, 大橋 直樹, 坂口 勲, 菱田 俊一, 羽田 肇. 日本応用物理学会2006年春季シンポジウム. 2006年03月22日-2006年03月26日.NIMS著者安達 裕大橋 直樹坂口 勲菱田 俊一羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:33:05 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:36:21 +0900