HOME > Presentation > DetailSi基板上無極性面AlN成長のためのZnxMn1-xSバッファー層の作製条件の検討(Study on the growth condition of ZnxMn1-xS buffer layer for nonpolar AlN growth on Si)森田 雅也, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 知京 豊裕, 小椋 厚志, 長田 貴弘. 2020年 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会. September 08, 2020-September 11, 2020.NIMS author(s)CHIKYO, ToyohiroNAGATA, TakahiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2021-09-18 03:00:23 +0900Updated at: 2021-09-18 03:00:23 +0900