Study of the dependence of GaN surface oxidation on the crystalline plane by in-situ XPS during O2 molecular beam irradiation
International workshop on nitride semiconductors 2018. 2018年11月11日-2018年11月16日.
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作成時刻: 2019-03-04 10:08:47 +0900 更新時刻: 2019-03-04 10:08:47 +0900