HOME > Presentation > Detail遷移金属カルコゲナイドを用いたアンチ・アンバイポーラトランジスタの作製および特性評価林 志隆, 許 亦天, 宇澤 拳太郎, 早川 竜馬, 岩崎 拓哉, 若山 裕, 森山 悟士. 第1回 応用物理学会 東洋大学・東京電機大学 SC研究交流会. 2025-08-25.NIMS author(s)HAYAKAWA, RyomaIWASAKI, TakuyaWAKAYAMA, YutakaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2025-10-22 03:10:37 +0900 Updated at: 2025-10-22 03:10:37 +0900