ワイドギャップAlN／ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ
(Heterojunction Field-Effect Transistors with Widegap AlN and Diamond Semiconductors)
EMN Meeting on Field-Effect Transistors 2016. 2016. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-20 05:28:15 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:46:11 +0900