Crystal Growth of MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by RF-magnetron sputtering
(Si(100）基板上無極性AlN薄膜成長のためのスパッタ法を用いたMnSバッファー層の結晶成長)
Solid State Device and Material. 2018年09月09日-2018年09月13日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2019-03-04 09:35:57 +0900 更新時刻: 2019-03-04 09:35:57 +0900