HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Crystal Growth of MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by RF-magnetron sputtering(Si(100)基板上無極性AlN薄膜成長のためのスパッタ法を用いたMnSバッファー層の結晶成長)TATEJIMA, Kota, NAGATA, Takahiro, 鈴木摂, 小椋厚志, 高橋健一郎, CHIKYO, Toyohiro. Solid State Device and Material. 2018.NIMS著者立島 滉大長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-03-04 09:35:57 +0900更新時刻: 2019-03-04 09:35:57 +0900