HOME > 公開特許出願 > 書誌詳細[公開特許出願] 界面層削減方法、高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法、高誘電率ゲート絶縁膜、及び高誘電率ゲート酸化膜を有するトランジスタ2011-06-09. US20120280372A (Google Patents) WO2011068096 (Google Patents) USS20120280372A (Google Patents) NIMS著者生田目 俊秀知京 豊裕作成時刻 :2023-07-22 21:45:33 +0900 更新時刻 :2023-07-22 21:45:33 +0900