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著者名松畑 洋文, 山口 博隆, 関口 隆史, 陳 斌, 佐々木 雅之, 大野 俊之, 鈴木 拓馬, 畠山 哲夫, 辻 崇, 米澤 喜幸, 荒井 和雄.
タイトル4H-SiC中の転位組織の放射光トポグラフ法による解析
(Analysis of Dislocation Structures in 4H-SiC by Synchrotron X-ray Topography)
掲載誌名電気学会論文誌. A 135 [12] 768-779
ISSN: 03854205 13475533
発表年2015
言語Japanese
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1541/ieejfms.135.768
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